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激光 分子束外延系統(tǒng)是一種用于物理學(xué)、材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，綜合了脈沖激光沉積和分子束外延的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。它能在高真空、真空條件下實(shí)現(xiàn)原位實(shí)時(shí)監(jiān)控薄膜原子尺度層狀外延生長(zhǎng)。這一系統(tǒng)適用于多種有機(jī)、無(wú)機(jī)薄膜的制備，尤其適宜于用其它制膜設(shè)備和方法難以制備的高熔點(diǎn)、多元素（特別是含有氣體元素時(shí)）、復(fù)雜層狀結(jié)構(gòu)的薄膜和超晶格的制備。

剝離成形電子束設(shè)備：對(duì)于有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來(lái)完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以采用 Lift-Off制程來(lái)做出想要的金屬圖案。在此過(guò)程中，電子束蒸發(fā)于在基板表面上沉積所需的薄膜層于犧牲層于基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。

超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見(jiàn)。超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)通常要求，在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中，表面應(yīng)保持無(wú)污染狀態(tài)和使用較低能量的電子和離子的實(shí)驗(yàn)技術(shù)的使用，而不會(huì)受到氣相散射的過(guò)度干擾。

電子束蒸鍍?cè)O(shè)備是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng)。我們的系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個(gè)坩堝來(lái)達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu)。在基板乘載上我們對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì)。單片和多片公自轉(zhuǎn)的設(shè)計(jì)可以控制蒸發(fā)速率，薄膜厚度和均勻度小於+/- 3％。

電子束蒸鍍?yōu)橐环N物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其中電子束是由鎢絲所產(chǎn)生的，並受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)而朝向蒸發(fā)材料，並將其材料由固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)以沉積在基板表面上。且該過(guò)程需在高真空環(huán)境中，以通過(guò)自由路徑的方式在基板表面上形成薄膜。

多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備廣泛用於各個(gè)領(lǐng)域，而對(duì)於精密系統(tǒng)則需要更嚴(yán)格的規(guī)格，包括光、聲音和電子元件。在單一材料薄膜無(wú)法滿(mǎn)足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中，高質(zhì)量多層膜的作用變得越來(lái)越重要。因此，新材料的開(kāi)發(fā)和薄膜的精確控制製程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向。

Thermo Scientifc Helios 5 DualBeam憑借其先進(jìn)的聚焦離子束和電子束性能、專(zhuān)有軟件、自動(dòng)化和易用性特征，重新定義了樣品制備和三維表征的標(biāo)準(zhǔn)。

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