國(guó)產(chǎn)電子束光刻利用電子束在涂有電子抗蝕劑的晶片上直接描畫或投影復(fù)印圖形的光刻技術(shù)。電子抗蝕劑是一種對(duì)電子敏感的高分子聚合物。經(jīng)過(guò)電子束掃描過(guò)的電子抗蝕劑發(fā)生分子鏈重組，使曝光圖形部分的抗蝕劑發(fā)生化學(xué)性質(zhì)改變，經(jīng)過(guò)顯影和定影，獲得高分辨率的抗蝕劑曝光圖形?，F(xiàn)代的電子束光刻設(shè)備已經(jīng)能夠制作小于10納米的精細(xì)線條結(jié)構(gòu)，也可制作光學(xué)掩模版。

國(guó)產(chǎn)電子束光刻主要功能：曝光速度快精度高，可采用大寫場(chǎng)大束流進(jìn)行曝光，適用于科研及小批量生產(chǎn)中使用；自動(dòng)化程度高，除了放樣取樣外，整個(gè)曝光過(guò)程只需要編輯曝光的相關(guān)參數(shù)，其他過(guò)程均可自動(dòng)完成。

盡管電子束光刻具有高分辨率，但用戶通常不考慮在電子束光刻過(guò)程中產(chǎn)生缺陷。缺陷可以分為兩類：與數(shù)據(jù)相關(guān)的缺陷和物理缺陷。

與數(shù)據(jù)有關(guān)的缺陷可以進(jìn)一步分為兩個(gè)子類別。當(dāng)電子束原本應(yīng)該正確偏轉(zhuǎn)時(shí)，會(huì)發(fā)生消隱或偏轉(zhuǎn)錯(cuò)誤；而當(dāng)將錯(cuò)誤形狀投射到樣品上時(shí)，在可變形狀的電子束系統(tǒng)中會(huì)發(fā)生成形錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤可能源自電子光學(xué)控制硬件，也可能源自錄音帶?？梢灶A(yù)期，較大的數(shù)據(jù)文件更容易受到與數(shù)據(jù)相關(guān)的缺陷的影響。

物理缺陷變化更大，可能包括樣品帶電（正電荷或負(fù)電荷），反向散射計(jì)算誤差、劑量誤差、霧化（反向散射電子的遠(yuǎn)距離反射）、除氣、污染、電子束漂移和粒子。由于電子束光刻的寫入時(shí)間很容易超過(guò)一天，因此“隨機(jī)發(fā)生"的缺陷更有可能發(fā)生。同樣，較大的數(shù)據(jù)文件可能會(huì)帶來(lái)更多的缺陷機(jī)會(huì)。