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全金屬密封磁控濺射靶槍是一種用于磁控濺射技術(shù)的設(shè)備，主要由金屬制成的密封容器和靶材組成。這種設(shè)備廣泛應(yīng)用于各種薄膜制備工藝中，如光學(xué)薄膜、電子薄膜、磁性薄膜等。
超高真空磁控濺射外延系統(tǒng)是一種先進(jìn)的薄膜制備設(shè)備，結(jié)合了超高真空技術(shù)和磁控濺射技術(shù)，用于在襯底上外延生長高質(zhì)量的薄膜材料。
有機(jī)材料熱蒸鍍設(shè)備：該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性。
金屬熱蒸鍍設(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜，其中以電阻式加熱法最為常見的。
熱蒸鍍設(shè)備是用於沉積材料中簡單的物理氣相沉積（PVD）。將材料（金屬或者有機(jī)材料等）置於真空環(huán)境中的電阻熱源中，使其加熱並蒸發(fā)，以最直接的方式蒸發(fā)到基板上，然後在基板上凝結(jié)成固態(tài)形成薄膜。
FPD-PVD磁控濺鍍設(shè)備針對中小尺寸的需求開發(fā)串集的PVD 設(shè)備，擁有4個單獨(dú)的濺鍍腔體，讓客戶能任意搭配沉積的材料，同時保有彈性和具有選擇性的系統(tǒng)。
連續(xù)式多腔磁控濺鍍設(shè)備：In-Line的濺鍍沉積是指基板在一個或多個濺鍍陰極下方以線性的方式通過以獲取其薄膜沉積。其基板沿著軌道穿過各個真空腔內(nèi)。
超高真空磁控濺鍍設(shè)備超高真空環(huán)境的特徵為其真空壓力低於10-8至10-12 Torr，且在化學(xué)、物理和工程領(lǐng)域十分常見。
