低成本效益高

PECVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備Depolab 200將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接載片相結(jié)合。

升級(jí)擴(kuò)展性

根據(jù)其模塊化設(shè)計(jì)，PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200可升級(jí)為更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。

SENTECH控制軟件

PECVD等離子沉積設(shè)備DEPOLAB 200*的用戶(hù)友好軟件包括模擬圖形用戶(hù)界面，參數(shù)窗口，工藝處方編輯窗口，數(shù)據(jù)記錄和用戶(hù)管理。

Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)設(shè)備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設(shè)計(jì)和直接載片的成本效益設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)。從2″至8″晶片和樣品的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用開(kāi)始，可以逐步升級(jí)以完成復(fù)雜的工藝。

PECVD Depolab 200的顯著特點(diǎn)是系統(tǒng)的可靠設(shè)計(jì)，軟件和硬件的靈活性。在該設(shè)備上開(kāi)發(fā)了不同的工藝，例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200包括帶氣路柜的反應(yīng)腔體，電子控制，計(jì)算機(jī)、前級(jí)泵和配電箱。

Depolab 200 等離子增強(qiáng)沉積設(shè)備用于在從室溫到400℃的溫度范圍內(nèi)沉積SiO2、SiNx、SiONx和a-Si薄膜。PECVD Depolab 200特別適用于沉積用于刻蝕掩膜，電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。

PECVD Depolab 200由SENTECH先進(jìn)的控制軟件操作，使用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)和用戶(hù)友好的通用用戶(hù)界面。